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無(wú)鉛錫膏使用_微電子與半導(dǎo)體焊接微冶金過(guò)程

2022-11-02

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無(wú)鉛錫膏使用_微電子與半導(dǎo)體焊接微冶金過(guò)程

 

微電子和半導(dǎo)體的封裝過(guò)程是為了實(shí)現(xiàn)芯片和PCB之間的電,熱連通。通常需要使用錫膏作為芯片和PCB間填充材料。當(dāng)無(wú)鉛錫膏通過(guò)印刷,點(diǎn)膠或噴印等手段涂覆到母材表面并完成元件的貼裝之后,需要采取回流工藝完成焊接工作。無(wú)鉛錫膏在回流加熱過(guò)程會(huì)與焊接母材發(fā)生一系列反應(yīng)。例如,錫膏助焊劑成分會(huì)改變焊接母材和錫膏合金粉末表面的張力,使得焊料能在焊盤鋪展。同時(shí)助焊劑能還原焊盤上的氧化物。最后在加熱條件下錫膏會(huì)與焊盤發(fā)生冶金反應(yīng)完成連接。那么什么是冶金連接呢?

 

冶金連接機(jī)理

焊點(diǎn)的高機(jī)械強(qiáng)度依賴優(yōu)秀的冶金連接。冶金連接指的通過(guò)加熱手段,使無(wú)鉛錫膏和焊接母材間形成原子級(jí)的冶金結(jié)合并形成永久性焊點(diǎn)。冶金連接本質(zhì)上是通過(guò)原子擴(kuò)散來(lái)實(shí)現(xiàn)的。錫膏金屬原子和焊盤銅原子在加熱作用下相互擴(kuò)散并消耗,在焊料和焊盤界面形成特定金屬間化合物(IMC)。IMC隨后會(huì)成核并生長(zhǎng),從而形成焊料和焊盤間的冶金連接。IMC類型可通過(guò)金屬相圖確定。

 

例如,當(dāng)使用SnAg3Cu0.5無(wú)鉛錫膏和Cu焊盤進(jìn)行加熱焊接時(shí),Cu原子會(huì)進(jìn)行晶界擴(kuò)散至焊料和焊盤的界面處。然后Cu原子會(huì)溶解到焊料中,在界面與焊料Sn原子以特定原子比例形成連續(xù)的IMC層。由于在回流過(guò)程中無(wú)鉛錫膏的Sn原子充足,因此主要形成的IMC是Cu6Sn5。Cu6Sn5在生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)逐漸熟化變成扇貝形狀 (圖1)。隨著時(shí)間推進(jìn),還會(huì)生成另一種IMC叫Cu3Sn, Cu3Sn 的出現(xiàn)伴隨著Sn和Cu6Sn5的消耗。

SAC305錫膏焊接IMC生長(zhǎng)過(guò)程 

1. SAC305錫膏焊接IMC生長(zhǎng)過(guò)程 (Lee 和 Mohamad, 2013)。

 

在回流中,除了Cu6Sn5和Cu3Sn,熔融焊料中的Sn和Ag也會(huì)反應(yīng),從而在焊料內(nèi)部生成少量的Ag3Sn。在無(wú)鉛錫膏固化后,Ag3Sn在IMC層附近均勻散布。Ag3Sn的生長(zhǎng)與焊料中的Ag含量有關(guān)。當(dāng)Ag含量在4wt%以上,會(huì)出現(xiàn)大塊Ag3Sn。

 

錫膏量和回流時(shí)間對(duì)冶金連接的影響

冶金連接過(guò)程生成IMC種類和數(shù)量取決于錫膏金屬成分和錫膏量。當(dāng)錫膏充足,Sn持續(xù)向Cu焊盤界面擴(kuò)散,Cu6Sn5層更厚此外,Sn含量高會(huì)導(dǎo)致回流中出現(xiàn)球形Cu6Sn5。

 

隨著回流時(shí)長(zhǎng)增加,Sn會(huì)逐漸消耗,Sn擴(kuò)散率降低,Cu6Sn5層厚度趨于穩(wěn)定。此時(shí)Cu3Sn IMC開始緩慢生長(zhǎng)。總IMC厚度仍會(huì)繼續(xù)增加。通常在熱老化過(guò)程中Sn會(huì)完全消耗,Cu6Sn5會(huì)開始分解并在Cu焊盤一側(cè)形成更多Cu3Sn。Cu3Sn的過(guò)度生長(zhǎng)產(chǎn)生的影響是負(fù)面的,會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)變脆,使焊點(diǎn)更易發(fā)生脆性斷裂。

不同回流時(shí)間SAC305-Cu焊盤界面的IMC生長(zhǎng)情況 

2. 不同回流時(shí)間SAC305-Cu焊盤界面的IMC生長(zhǎng)情況 (Lee 和 Mohamad, 2013)。

 

深圳市福英達(dá)能提供用于回流焊接工藝的錫膏產(chǎn)品,并能為客戶提供回流曲線建議,幫助客戶控制焊接產(chǎn)品IMC層厚度和改善焊點(diǎn)性能。

 

參考文獻(xiàn)

Lee, L.M. & Mohamad, A.A. (2013). “Interfacial Reaction of Sn-Ag-Cu Lead-Free Solder Alloy on Cu: A Review”. Advances in Materials Science and Engineering.


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